Метод атомно-колоночной микроскопии позволяет обнаружить скрытые магнитные структуры в антиферромагнетиках

Антиферромагнитные материалы с антипараллельными атомными спинами и нулевой суммарной намагниченностью являются быстрыми и устойчивыми к внешним магнитным помехам, что делает их идеальными для высокоскоростных спинтронных устройств высокой плотности. Однако их нулевая суммарная намагниченность затрудняет традиционную визуализацию, поскольку методы, основанные на нейтронах или синхротронном излучении, имеют ограниченное разрешение и не позволяют легко исследовать микроскопические области или границы раздела. Группа учёных разработала метод электронного магнитного кругового дихроизма (ЭМКД) с разрешением по атомному столбцу, позволяющий визуализировать антиферромагнитный порядок на атомном уровне. Результаты работы опубликованы в журнале Nature Nanotechnology.

Асимметричный спиновый крутящий момент обеспечивает детерминированное управление антиферромагнитной памятью

Исследовательская группа под руководством профессора Шао Динфу из Хэфэйских институтов физических наук Китайской академии наук предложила универсальный механизм, позволяющий осуществлять детерминированное электрическое управление коллинеарными антиферромагнетиками, преодолевая давнюю проблему в антиферромагнитной спинтронике. Исследование опубликовано в журнале Physical Review Letters.

Жидкокристаллическую фазу в антиферромагнетиках можно обнаружить электрическим методом

Антиферромагнетики обладают принципиально иной симметрией по сравнению с обычными ферромагнетиками, а это значит, что они представляют собой не просто альтернативную материальную платформу, а новый класс магнитов, которые, как ожидается, будут обладать совершенно новыми электронными функциями. Физики впервые обнаружили, что под действием электрического тока антиферромагнетики могут проявлять фазу вещества, известную как "жидкий кристалл" (нематик), которую можно обнаружить электрическим способом. Результаты опубликованы в журнале Nature Communications.

Спиновая поляризация, вызванная молекулярными колебаниями, приводит к энантиоселективности в хиральных молекулах

До сих пор считалось, что хиральные молекулы проявляют магнитные свойства только под действием электрического тока. Но учёные из Токийского университета открыли новый принцип, согласно которому спиральные хиральные молекулы приобретают спин посредством молекулярных колебаний, что позволяет им прилипать к магнитам. Это открытие переворачивает общепринятое представление.

Управляемые антиферромагнитные туннельные переходы

Исследовательская группа под руководством профессора Шао Динфу из Института физики твердого тела Хэфэйского института физических наук Китайской академии наук представила новый механизм достижения сильной спиновой поляризации с использованием антиферромагнитных металлических интерфейсов. Учёные предлагают третий прототип антиферромагнитного туннельного перехода (AFMTJ), открывающий путь к созданию более быстрых и плотных спинтронных устройств. Работа была опубликована в журнале Newton.

Простое решение позволяет получать сверхтонкие листы сульфида олова для электроники следующего поколения

Группа исследователей из Университета Тохоку, Национального института квантовой науки и технологий (QST) и Кембриджского университета продемонстрировала новый способ создания уникального материала под названием сульфид олова (SnS), который проводит электричество и реагирует на свет уникальным образом — может помочь в создании более совершенных и компактных электронных устройств. Результаты их работы опубликованы в журнале Nano Letters.

Блокировка спин-долин с синхронной кристаллической симметрией при комнатной температуре в слоистом металлическом кандидате на роль альтернативного магнита

Представлено первое экспериментальное наблюдение двумерного слоистого переменного магнита при комнатной температуре, что подтверждает теоретические предсказания, сделанные профессором Лю в журнале Nature Communications в 2021 году. Результаты опубликованы в журнале Nature Physics.

Полностью электрическая слоистая спинтроника в альтернативных магнитных бислоях

Исследовательская группа под руководством Сингапурского университета технологий и дизайна (SUTD) представила новый метод управления спином электрона с использованием только электрического поля. Работа опубликована в Materials Horizons. Результаты демонстрируют, как новый тип магнитного материала, альтермагнитный бислой, может использовать новый механизм, называемый блокировкой спинов слоев, что позволяет осуществлять полностью электрическую манипуляцию спиновыми токами при комнатной температуре.

Аномальный спиновый ток Холла управляет самогенерируемым спин-орбитальным моментом в ферромагнетике

Учёные из Университета Юты и Калифорнийского университета в Ирвайне (UCI) обнаружили новый тип спин-орбитального момента. Исследование, опубликованное в Nature Nanotechnology 15 января 2025 года, демонстрирует новый способ манипулирования спином и намагничиванием посредством электрических токов. Явление названо аномальным холловским моментом. Учёные говорят, что эти самогенерируемые спин-моменты уникально подходят для нейроморфных вычислений, которые имитируют работу человеческого мозга.

Аномальный эффект Холла при спинорбитальной и магнитообменной связи в 2D-графеновом спиновом клапане

Графен, особенно в чистом виде, уже давно считается перспективным материалом для разработки устройств спинтроники. Эти устройства используют собственный угловой момент (то есть спин), а не заряд электронов, для передачи и обработки данных. Предлагаемый подход к генерации и обнаружению спинов основан на близости графена к близлежащему материалу, который может изменить его свойства. Однако до сих пор успешное развитие спинтроники с использованием только этого подхода оказалось весьма сложной задачей. Исследователи из CIC nanoGUNE BRTA и других институтов разработали устройство спинтроники, которое использует только эффекты близости, в частности, 2D-спиновый клапан на основе графена. Функционирование этого клапана, представленное в статье, опубликованной в журнале Nature Electronics, зависит только от близости к магниту Ван-дер-Ваальса Cr₂Ge₂Te₆.