Угловое взаимодействие нематичности, сверхпроводимости и странной металличности в трехслойном графене с магическим углом скручивания

Учёные из Университета Брауна, Гарвардского университета и Национального института материаловедения Японии провели исследование по изучению взаимодействия между сверхпроводимостью, нематичностью и странной металличностью в слоистом графене с магическим углом скручивания. Результаты, опубликованные в журнале Nature Physics, предлагают новые интересные сведения о фундаментальных механизмах, лежащих в основе транспортной анизотропии, которая описывает, как электрический ток ведет себя в зависимости от направления его течения.

Сверхпроводимость типа Изинга, индуцированная орбитальной гибридизацией, в ограниченном слое галлия

Большинство сверхпроводников теряют свои сверхпроводящие свойства в сильных магнитных полях. В отличие от них, класс сверхпроводников, содержащих тяжелые элементы, способен поддерживать необычный тип сверхпроводимости. Новые исследования показали, что это ограничение можно преодолеть, поместив атомарно тонкие пленки легкого элемента галлия между двумя другими материалами. Таким образом создаются квантовые взаимодействия на границах раздела слоев. Работа, опубликованная в журнале Nature Materials, показала, что при нанесении всего трех атомных слоев галлия между графеном и подложкой из карбида кремния, полученная структура сохраняет сверхпроводимость в магнитных полях, параллельных поверхности материала, или расположенных в плоскости, значительно превышающих ожидаемый предел.

Побит рекорд высокотемпературной сверхпроводимости при атмосферном давлении

Команда учёных из Гавайского университета достигла температуры перехода в 151 Кельвин (примерно минус 122 градуса Цельсия) при атмосферном давлении — самой высокой из когда-либо зарегистрированных для всех известных сверхпроводников при атмосферном давлении с момента открытия сверхпроводимости в 1911 году. Температура перехода — это точка, ниже которой материал становится сверхпроводящим, то есть через него может протекать электричество без сопротивления. Результаты исследования физиков Гавайского университета Чин-Ву Чу и Лянцзы Дэна были опубликованы 9 марта в журнале "Proceedings of the National Academy of Sciences".

Сверхпроводящий магнит размером с ладонь развивает мощность в 42 Тесла, что сопоставимо с самым большим магнитом в мире

Учёные создали два типа магнитов силой 38 или 42 Тесла, но имеют внешний диаметр всего 63 миллиметра и внутренний диаметр 3,1 мм. Работа опубликована в журнале Science Advances. Для представления следует отметить, что нынешний рекордсмен среди магнитов в Национальной лаборатории высоких магнитных полей во Флориде имеет силу 45,5 Тесла и потребляет 20 мегаватт мощности.

XXIII Конференция "Сильно коррелированные электронные системы и квантовые критические явления"

XXIII Конференция "Сильно коррелированные электронные системы и квантовые критические явления" состоится 21 мая 2026 г. в Физическом институте им. П.Н. Лебедева по адресу: Ленинский пр. 53, Москва. Традиционно на Конференции будут представлены материалы по таким темам, как магнитные и Кондо - системы, волны зарядовой и спиновой плотности, топологические материалы, включая: топологические изоляторы и полуметаллы, сверхпроводимость и топологические сверхпроводники, сверхпроводники с магнитным упорядочением, электронное фазовое расслоение, фазовые переходы и критические явления, влияние давления на физические свойства и пр.

Сильные корреляции и сверхпроводимость в супермуаровой решетке

Исследователи из Федеральной политехнической школы Лозанны, Свободного университета Берлина и других институтов обнаружили сильную сверхпроводимость в супермуаровой решетке — скрученной трехслойной структуре графена с нарушенной симметрией и магическим углом, в которой перекрываются несколько муаровых узоров. Статья, опубликованная в журнале Nature Physics, может открыть новые возможности для разработки квантовых материалов.

Высокотемпературная сверхпроводящая катушка карманного типа обеспечивает суммарное магнитное поле 44,86 Тесла

Исследовательская группа под руководством Куан Гуанли и Цзян Дунхуэя из Лаборатории высоких магнитных полей Хэфэйских институтов физических наук Китайской академии наук (CHMFL) разработала высокотемпературную сверхпроводящую (ВТСП) катушку «карманного типа», достигнув рекордного суммарного магнитного поля в 44,86 Тесла. Катушка, намотанная с использованием лент REBa₂Cu₃O₇₋ₓ (REBCO) отечественного производства, генерировала 28,20 Тл при нулевом поле в ванне с жидким гелием и создавала дополнительно 10,36 Тл внутри стационарного магнитного поля 34,5 Тл водоохлаждаемого магнита WM5.

Аномальная зависимость волны плотности заряда и реконструкции поверхности Ферми от давления в BaFe₂Al₉

Учёные заменили низкие температуры высоким экстремальным давлением — открыт способ эффективной передачи электрического тока через определенные материалы при комнатной температуре. Это открытие может произвести революцию в сверхпроводимости и изменить подходы к сохранению и генерации энергии. Исследование показывает, что поведение волн зарядовой плотности не только усиливается под экстремальным давлением, но и может проявляться при комнатной температуре, что, по мнению авторов, является редким и захватывающим открытием. Этот вывод резко контрастирует с тем, что обычно наблюдается в других двумерных материалах, где волны зарядовой плотности ослабевают под давлением. Статья опубликована в журнале Physical Review Letters.

Обнаружено ключевое доказательство нетрадиционной сверхпроводимости в графене с магическим углом

Физики Массачусетского технологического института сообщают о наблюдении нового ключевого доказательства нетрадиционной сверхпроводимости в скрученном под «магическим углом» трехслойном графене (MATTG) — материале, который изготавливается путем укладки трех атомарно тонких листов графена под определенным углом, или скручиванием, что приводит к экзотическим свойствам. Учёным удалось измерить сверхпроводящую щель MATTG — степень устойчивости сверхпроводящего состояния материала при заданных температурах.

III Всероссийская научно-техническая конференция "Полупроводниковые материалы в современной микро- и наноэлектронике"

13 ноября 2025 г. — 14 ноября 2025 г., срок заявок: 31 октября 2025 г. Россия, Махачкала (издание включено в: РИНЦ, eLibrary). Форма участия: очно-заочная. Язык информации: русский. Последний день подачи заявки: 31 октября 2025 г. Организаторы: ФГБОУ ВО "Дагестанский государственный технический университет". Оргкомитет приглашает студентов, аспирантов и молодых исследователей, учёных, инженеров, преподавателей ВУЗов и работников промышленности принять участие в III Всероссийской научно-технической конференции "Полупрводниковые материалы в современной микро- и наноэлектронике" памяти д.ф.-м.н., профессора Билалова Билала Аруговича, которая будет проходить в Дагестанском государственном техническом университете 13-14 ноября 2025 г.