Лазерный метод позволяет синтезировать тонкие пленки квантовых материалов при температуре 3000 Кельвинов

Нанесение чрезвычайно тонких слоев материалов равномерным и однородным способом имеет решающее значение для производства полупроводников, которые являются основой современной электроники. Не все материалы можно легко осаждать в виде таких тонких слоев, например, материалы с очень высокими температурами плавления. Учёные из Калифорнийского технологического института под руководством Остина Миннича, профессора машиностроения и прикладной физики и заместителя председателя Отдела инженерии и прикладных наук, продемонстрировали лазерный метод получения тонких пленок таких материалов, как ниобий. Эта работа может оказать непосредственное влияние на сверхпроводящую электронику, используемую в квантовых компьютерах. Работа опубликована в журнале Applied Physics Letters.

Сверхпроводимость типа Изинга, индуцированная орбитальной гибридизацией, в ограниченном слое галлия

Большинство сверхпроводников теряют свои сверхпроводящие свойства в сильных магнитных полях. В отличие от них, класс сверхпроводников, содержащих тяжелые элементы, способен поддерживать необычный тип сверхпроводимости. Новые исследования показали, что это ограничение можно преодолеть, поместив атомарно тонкие пленки легкого элемента галлия между двумя другими материалами. Таким образом создаются квантовые взаимодействия на границах раздела слоев. Работа, опубликованная в журнале Nature Materials, показала, что при нанесении всего трех атомных слоев галлия между графеном и подложкой из карбида кремния, полученная структура сохраняет сверхпроводимость в магнитных полях, параллельных поверхности материала, или расположенных в плоскости, значительно превышающих ожидаемый предел.

XXIII Конференция "Сильно коррелированные электронные системы и квантовые критические явления"

XXIII Конференция "Сильно коррелированные электронные системы и квантовые критические явления" состоится 21 мая 2026 г. в Физическом институте им. П.Н. Лебедева по адресу: Ленинский пр. 53, Москва. Традиционно на Конференции будут представлены материалы по таким темам, как магнитные и Кондо - системы, волны зарядовой и спиновой плотности, топологические материалы, включая: топологические изоляторы и полуметаллы, сверхпроводимость и топологические сверхпроводники, сверхпроводники с магнитным упорядочением, электронное фазовое расслоение, фазовые переходы и критические явления, влияние давления на физические свойства и пр.

Вакуум в оптическом резонаторе может изменить магнитное состояние материала без лазерного возбуждения

Исследователи из Германии и США впервые теоретически продемонстрировали, что магнитным состоянием атомарно тонкого материала α-RuCl₃ можно управлять, просто поместив его в оптический резонатор. Важно отметить, что одних только флуктуаций вакуума в полости достаточно, чтобы изменить магнитный порядок материала из зигзагообразного антиферромагнетика в ферромагнетик. Работа команды опубликована в журнале npj Computational Materials.

Найдено объяснение загадочному наблюдению состояний Шиба в сверхпроводниках

Размещение магнитного атома поверх сверхпроводника создает новое состояние в энергетической щели в результате взаимодействия магнетизма атома со спаренными электронами сверхпроводника. Это состояние, известное как состояние Ю-Шиба-Русинова (Шиба), вызывает большой интерес, поскольку оно может пролить свет на появление особого состояния в топологическом сверхпроводнике, называемого нулевой модой Майораны, которое является многообещающим для реализации отказоустойчивых квантовых вычислений. Обнаружено, что взаимодействие магнитного атома с объемными состояниями сверхпроводника вызывает двойное пересечение. Статья опубликована в журнале Physical Review Letters.

Тепловой сверхпроводящий квантово-интерференционный бесконтактный транзистор

Исследователи из Istituto Nanoscienze (CNR) и Scuola Normale Superiore в Италии недавно разработали транзистор, в котором используются преимущества сверхпроводников. Их транзистор, получивший название теплового сверхпроводящего квантово-интерференционного бесконтактного транзистора (T-SQUIPT), был представлен в статье, опубликованной в журнале Nature Physics.

Новый экспериментальный подход к управлению характеристиками джозефсоновских переходов

Ученые ИФТТ РАН совместно с немецкими коллегами исследовали влияние инжекции спин-поляризованного тока на мезоскопические джозефсоновские крестообразные структуры сверхпроводник – нормальный металл/ферромагнетик – сверхпроводник.