Побит рекорд в укладке полупроводниковых транзисторов для электроники большой площади
Исследователи из Университета науки и технологий имени короля Абдаллы (KAUST; Саудовская Аравия) установили рекорд в области разработки микросхем, создав первую шестислойную гибридную КМОП-структуру (комплементарную структуру металл-оксид-полупроводник) для электронных компонентов большой площади. Поскольку до сих пор не было известно ни об одной гибридной КМОП-структуре, превышающей два слоя, это достижение знаменует собой новый стандарт плотности интеграции и эффективности, открывая возможности для миниатюризации и повышения производительности электроники. Статья опубликована в журнале Nature Electronics.
Производство микросхем часто требует температур в несколько сотен градусов Цельсия, что может повредить нижние слои чипа при добавлении новых. В процессе KAUST ни один этап производства не превышал 150°C, а большинство этапов выполнялось при температуре, близкой к комнатной.
Поверхность слоёв также должна быть максимально гладкой. Изменения в новой конструкции позволили сохранить её более гладкой, чем при предыдущих методах изготовления. При вертикальной укладке слои должны быть правильно выровнены для оптимального соединения. Здесь учёные также улучшили процесс изготовления.
