Гибридные нелинейные эффекты в фотонных интегральных схемах

Современные фотонные чипы позволяют размещать сложные оптические функции на устройствах размером меньше ногтя. Они все чаще используются для генерации, управления и измерения света в самых разных областях применения, от связи до сенсорики. Однако большинство таких чипов используют один и тот же материал для выполнения основной работы, что ограничивает диапазон оптических эффектов, которые они могут производить. В данной работе учёные продемонстрировали другой подход: использование двух материалов для совместной работы. Как сообщается в журнале Advanced Photonics, физики объединили два нелинейных оптических эффекта, которые обычно возникают по отдельности. В их устройстве было использовано ядро из нитрида кремния для генерации оптических частотных гребенок, в то время как окружающий слой диоксида кремния производил рамановское рассеяние. Объединив преимущества обоих материалов, команда создала новый тип интегрированного фотонного устройства, способного генерировать широкий диапазон частот света на одном чипе.

Первый поляритонный лазерный диод с электрической накачкой на основе перовскита

Учёные из Сколтеха (группа ВЭБ.РФ) и их коллеги из Университета ИТМО и НИУ ВШЭ впервые продемонстрировали прямую электрическую накачку поляритонного лазера на основе галогенидного перовскитного микрокристалла, полученного из раствора. Опубликованные в журнале Nature результаты представляют собой решение давней проблемы физики полупроводников и оптоэлектроники, которая десятилетиями оставалась препятствием на пути к решению технологической задачи: создать недорогие неэпитаксиальные лазерные диоды, работающие под непрерывным электрическим током. Такие устройства найдут применение в оптических сенсорах и спектроскопии, высокоскоростных вычислениях и энергоэффективных нейроморфных компьютерах. Исследование было поддержано программой Clover, Российским научным фондом (грант № 22-13-00436-П и грант № 23-72-00031), а также программой фундаментальных исследований НИУ ВШЭ HSE-BR-2025-069.

Визуализация разориентации и деформации отдельных дислокаций в GaN с помощью дифракции обратнорассеянных электронов

Учёные из Ливерпульского университета и Университета Стратклайда, продемонстрировали эффективный способ выявления мельчайших кристаллических дефектов, которые могут снижать эффективность светодиодных материалов. Это достижение может помочь лучше понять, как образуются эти дефекты, и способствовать разработке более эффективных электронных и оптоэлектронных устройств. Работа опубликована в журнале Acta Materialia.

Полностью оптическое управление антиферромагнитными доменами посредством обратного оптического магнитоэлектрического эффекта

Немецко-японская исследовательская группа из Аугсбургского университета совершила значительный прорыв в использовании антиферромагнетиков. Впервые удалось записать магнитную информацию, используя только сверхкороткие лазерные импульсы — без необходимости применения электрических токов или магнитных полей. Физик-экспериментатор  Иштван Кезмарки и его команда разработали метод, в котором для управления используется не поляризация света, а направление его распространения (импульс). Благодаря целенаправленному облучению можно переключаться между различными магнитными состояниями и записывать информацию. Более того, эту информацию можно считывать и чисто оптическими средствами. Статья опубликована в журнале Nature Materials.

Лазерный метод позволяет синтезировать тонкие пленки квантовых материалов при температуре 3000 Кельвинов

Нанесение чрезвычайно тонких слоев материалов равномерным и однородным способом имеет решающее значение для производства полупроводников, которые являются основой современной электроники. Не все материалы можно легко осаждать в виде таких тонких слоев, например, материалы с очень высокими температурами плавления. Учёные из Калифорнийского технологического института под руководством Остина Миннича, профессора машиностроения и прикладной физики и заместителя председателя Отдела инженерии и прикладных наук, продемонстрировали лазерный метод получения тонких пленок таких материалов, как ниобий. Эта работа может оказать непосредственное влияние на сверхпроводящую электронику, используемую в квантовых компьютерах. Работа опубликована в журнале Applied Physics Letters.

Топологические солитоны обеспечивают работу источника частотного гребеня на микросхеме

Ученые из Калифорнийского технологического института разработали новый способ получения оптических частотных гребенок на уровне микросхем. Для генерации этих гребенчатых спектров была продемонстрирована высокая полезность устойчивого класса световых импульсов, называемых топологическими солитонами. Работа опубликована в журнале Nature.

XVI Международная научно-техническая конференция "Микро- и нанотехнологии в электронике"

31 мая 2026 г. — 5 июня 2026 г., срок заявок: 11 мая 2026 г.  Россия, Нальчик (издание включено в: РИНЦ, eLibrary). Форма участия: очная. Язык информации: русский. Последний день подачи заявки: 11 мая 2026 г. Организаторы: Министерство образования и науки РФ; Кабардино–Балкарский государственный университет; Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники.

Сверхпроводящий магнит размером с ладонь развивает мощность в 42 Тесла, что сопоставимо с самым большим магнитом в мире

Учёные создали два типа магнитов силой 38 или 42 Тесла, но имеют внешний диаметр всего 63 миллиметра и внутренний диаметр 3,1 мм. Работа опубликована в журнале Science Advances. Для представления следует отметить, что нынешний рекордсмен среди магнитов в Национальной лаборатории высоких магнитных полей во Флориде имеет силу 45,5 Тесла и потребляет 20 мегаватт мощности.

Волоконно-оптическая схема позволяет сжимать импульсы среднего инфракрасного диапазона до 187 фемтосекунд, используя всего 80 ватт

Сверхкороткие импульсы среднеинфракрасного (средне-ИК) лазера необходимы для таких применений, как молекулярная спектроскопия, нелинейная микроскопия и биомедицинская визуализация, но их генерация часто требует сложных и энергоемких систем, которые трудно реализовать вне специализированных лабораторий. Эти системы обычно требуют высокой мощности накачки, сложных оптических схем и точной юстировки. В статье, опубликованной в журнале IEEE Journal of Quantum Electronics, группа учёных из университета SASTRA в Танджавуре сообщает о компактном волоконно-оптическом методе генерации чистых сверхкоротких импульсов среднего ИК-диапазона при значительно сниженной входной мощности. Работа демонстрирует, что высококачественное сжатие импульсов может быть достигнуто с помощью фотонно-кристаллического волокна ZBLAN, легированного гольмием, интегрированного в нелинейное оптическое петлевое зеркало (NOLM), что предлагает более простую и энергоэффективную альтернативу традиционным системам.

Всероссийская научная конференция с международным участием "Микроэлектронные системы" (МЭС-2026)

27 мая 2026 г. — 28 мая 2026 г., срок заявок: 15 апреля 2026 г.  Россия, Москва (издание включено в: Scopus, Web of Science, Перечень ВАК, eLibrary, DOI). Форма участия: очная. Язык информации: русский. Всероссийская научная конференция с международным участием "Микроэлектронные системы" (МЭС-2026) – одно из ключевых событий в области микроэлектроники. Конференция состоится в кампусе Сколковского института науки и технологий (Сколтех), международного университета, входящего в топ-100 лучших молодых университетов по версии Nature Index.