Скрытое сверхпроводящее состояние в NbSe₂

Обнаружен неожиданный сверхпроводящий переход в чрезвычайно тонких пленках диселенида ниобия (NbSe₂). В публикации в Nature Communications уведомляется, что когда эти пленки становятся тоньше шести атомных слоев, сверхпроводимость больше не распространяется равномерно по всему материалу, а вместо этого ограничивается его поверхностью. Это открытие бросает вызов предыдущим предположениям и может иметь важные последствия для понимания сверхпроводимости и разработки передовых квантовых технологий.

Создание однодоменных сегнетоэлектрических тонких плёнок с помощью простого контроля температуры

Исследовательская группа под руководством профессора Ху Вэйцзина из Института исследований металлов (IMR) Китайской академии наук обнаружила, что однодоменные сегнетоэлектрические тонкие пленки можно эффективно получать, просто повышая температуру роста. Их результаты, опубликованные в журнале Advanced Functional Materials, предлагают простую альтернативу традиционным сложным методам изготовления, что имеет существенное значение для производительности сегнетоэлектрических устройств.

Признаки сверхпроводимости в тонких плёнках при комнатной температуре и боковом сжатии

Учёным из Стэнфорда и SLAC под руководством Гарольда Хванга, директора Стэнфордского института материаловедения и энергетических наук (SIMES) удалось стабилизировать сверхпроводимость в никелата (тонких плёнках) при комнатной температуре. Вместо того чтобы применять внешнее давление, исследователи использовали подложки — материалы, которые поддерживают тонкие пленки, но также добавили боковое сжатие, заставляя атомную структуру никелата корректироваться во время роста. Результаты опубликованы в журнале Nature.

Квантовый пробой сверхпроводимости первого порядка в аморфном сверхпроводнике

Группа физиков из Университета Гренобля в Альпах (CNRS) во Франции в сотрудничестве с коллегой из Технологического института Карлсруэ в Германии наблюдала странный квантовый фазовый переход в пленках оксида индия. В своем исследовании, опубликованном в журнале Nature Physics, группа использовала микроволновую спектроскопию для изучения внутренних свойств и поведения пленок оксида индия при их переходе между сверхпроводящим и изолирующим состояниями.

Индуцированная бором трансформация ультратонких пленок золота в двумерные металлические наноструктуры

Созданы почти автономные наноструктурированные двумерные (2D) монослои золота — впечатляющий результат в области инженерии наноматериалов, который может открыть новые возможности в катализе, электронике и преобразовании энергии. Исследование опубликовано в журнале Nature Communications. Учёные вырастили монослои золота на иридиевой подложке и внедрили атомы бора на границе раздела между золотом и иридием. Эта инновационная технология позволила получить подвешенные моноатомные листы золота, которые имели гексагональную структуру с наноразмерными треугольными узорами. Включение бора повысило стабильность и структурную целостность слоев золота, позволяя формироваться наноструктурам. Анализ подтвердил, что внедрение бора облегчает переход от 3D-к преимущественно 2D-металлическим связям, фундаментально меняя электронное поведение слоев золота. Это преобразование подчеркивает уникальную природу синтезированных пленок, поскольку традиционные методы обычно не могут поддерживать стабильную двумерную металлическую форму, что приводит вместо этого к небольшим или нестабильным структурам.

Рекордная подвижность электронов в новой кристаллической пленке

Физики из Массачусетского технологического института, Армейской исследовательской лаборатории и других организаций достигли рекордного уровня подвижности электронов в тонкой пленке тройного тетрадимита — класса минералов, который естественным образом встречается в глубоких гидротермальных месторождениях золота и кварца. Команда смогла оценить подвижность электронов материала, обнаружив квантовые колебания при прохождении через него электрического тока. Исследователи обнаружили особый ритм колебаний, характерный для высокой подвижности электронов — выше, чем у любых тройных тонких пленок этого класса на сегодняшний день. Результаты, опубликованные в журнале Materials Today Physics, указывают на тонкие пленки тройного тетрадимита как на многообещающий материал для будущей электроники, например, для носимых термоэлектрических устройств, которые эффективно преобразуют отходящее тепло в электричество.

Доказательства обратимого движения ионов кислорода во время электрических импульсов — фактор появления сегнетоэлектричества в бинарных оксидах

Исследователи обнаружили, что возникающее сегнетоэлектричество существует в ультратонкой оксидной системе из-за микроскопической миграции ионов в процессе переключения. Эти сегнетоэлектрические бинарные оксидные пленки управляются механизмом переключения, ограниченным границей раздела. Устройства энергонезависимой памяти с ультратонкими аморфными диэлектриками снижали рабочее напряжение до ±1 В. Это открывает новый путь для решений в области технологий энергонезависимого хранения, которые могут избежать недостатков снижения надежности и увеличения утечки затвора при масштабировании поликристаллических легированных пленок.

Сильно связанные спиновые волны и поверхностные акустические волны при комнатной температуре

При комнатной температуре удалось создать сильную связь между двумя формами волн в тонкой пленке — магнонами и фононами. Так как обычные звуковые волны на поверхностях плохо связываются с магнитами, то были использованы поперечные звуковые волны, которые лучше для этого подходят. В эксперименте был использован наноструктурный резонатор поверхностных акустических волн, который ограничивает ультразвуковые волны в определенном месте и усиливает поперечные звуковые волны, обеспечивая сильную связь между поверхностными звуковыми волнами и магнитами в резонаторе. Благодаря этому исследователям удалось добиться сильной магнитно-звуковой связи в пленке Co₂₀Fe₆₀B₂₀ при комнатной температуре.

Открытие скрытой квантовой критической точки в двумерных сверхпроводниках

Аномальное металлическое состояние в магнитном поле при абсолютном нуле в двумерных сверхпроводниках возникает из-за существования квантовой критической точки. Другими словами, аномальное металлическое состояние представляет собой расширенное квантовое критическое основное состояние для перехода сверхпроводник-изолятор. Установлено, что квантовое движение линий магнитного потока происходит в аномальном металлическом состоянии с использованием термоэлектрического эффекта, в котором напряжение генерируется в зависимости от теплового потока (градиента температуры), а не тока. В исследовании были изготовлены и использованы тонкие пленки молибден-германий с аморфной структурой (двумерный сверхпроводник с однородной структурой и беспорядком). Его толщина составляет 10 нанометров.