XVI Международная научно-техническая конференция "Микро- и нанотехнологии в электронике"

31 мая 2026 г. — 5 июня 2026 г., срок заявок: 11 мая 2026 г.  Россия, Нальчик (издание включено в: РИНЦ, eLibrary). Форма участия: очная. Язык информации: русский. Последний день подачи заявки: 11 мая 2026 г. Организаторы: Министерство образования и науки РФ; Кабардино–Балкарский государственный университет; Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники.

III Всероссийская научно-техническая конференция "Полупроводниковые материалы в современной микро- и наноэлектронике"

13 ноября 2025 г. — 14 ноября 2025 г., срок заявок: 31 октября 2025 г. Россия, Махачкала (издание включено в: РИНЦ, eLibrary). Форма участия: очно-заочная. Язык информации: русский. Последний день подачи заявки: 31 октября 2025 г. Организаторы: ФГБОУ ВО "Дагестанский государственный технический университет". Оргкомитет приглашает студентов, аспирантов и молодых исследователей, учёных, инженеров, преподавателей ВУЗов и работников промышленности принять участие в III Всероссийской научно-технической конференции "Полупрводниковые материалы в современной микро- и наноэлектронике" памяти д.ф.-м.н., профессора Билалова Билала Аруговича, которая будет проходить в Дагестанском государственном техническом университете 13-14 ноября 2025 г.

16-я Валиевская международная конференция "Микро- и наноэлектроника — 2025"

6 октября 2025 г. — 10 октября 2025 г., срок заявок: 15 августа 2025 г. Россия, Ярославль (издание включено в: РИНЦ, Scopus, Перечень ВАК, eLibrary, DOI). Форма участия: очная. Язык информации: Русский. 16-я Валиевская Международная конференция "Микро- и наноэлектроника — 2025", включающая расширенные сессии "Физика поверхности и гетерограниц" и "Квантовые технологии", будет проводиться в очно-заочной форме 6-10 октября 2025 в главном корпусе ЯрГУ им. П.Г. Демидова, Ярославль, Россия.

Индуцированная бором трансформация ультратонких пленок золота в двумерные металлические наноструктуры

Созданы почти автономные наноструктурированные двумерные (2D) монослои золота — впечатляющий результат в области инженерии наноматериалов, который может открыть новые возможности в катализе, электронике и преобразовании энергии. Исследование опубликовано в журнале Nature Communications. Учёные вырастили монослои золота на иридиевой подложке и внедрили атомы бора на границе раздела между золотом и иридием. Эта инновационная технология позволила получить подвешенные моноатомные листы золота, которые имели гексагональную структуру с наноразмерными треугольными узорами. Включение бора повысило стабильность и структурную целостность слоев золота, позволяя формироваться наноструктурам. Анализ подтвердил, что внедрение бора облегчает переход от 3D-к преимущественно 2D-металлическим связям, фундаментально меняя электронное поведение слоев золота. Это преобразование подчеркивает уникальную природу синтезированных пленок, поскольку традиционные методы обычно не могут поддерживать стабильную двумерную металлическую форму, что приводит вместо этого к небольшим или нестабильным структурам.

Наноструктуры позволяют реализовать встроенный в чип световой волновой электронный частотный смеситель

Разработан электронный смеситель частот для обнаружения сигналов, который работает за пределами 0,350 ПГц с использованием крошечных наноантенн. Эти наноантенны могут смешивать различные частоты света, позволяя анализировать сигналы, колеблющиеся на порядки быстрее, чем самые быстрые, доступные для обычной электроники. Учёные подчеркивают использование сетей наноантенн для создания широкополосного электронного оптического частотного смесителя на чипе. Этот инновационный подход позволяет точно считывать формы оптических волн, охватывающие более одной октавы полосы пропускания. Важно, что этот процесс работал с использованием коммерческого лазера под ключ, который можно купить в готовом виде, а не с помощью высоконастраиваемого лазера. Хотя оптическое смешение частот возможно с использованием нелинейных материалов, этот процесс является чисто оптическим. Кроме того, толщина материалов должна быть во много раз больше длины волны, что ограничивает размер устройства микрометрическим масштабом. Продемонстрированный авторами метод световолновой электроники использует механизм туннелирования, управляемый светом, который обеспечивает высокую нелинейность для смешивания частот и прямого электронного вывода с использованием устройств нанометрового масштаба.

Масштабирование транзисторов с выровненными углеродными нанотрубками до узлов менее 10 нм

Полевые транзисторы на основе углеродных нанотрубок потенциально могут превзойти более мелкие транзисторы на основе кремния, однако их преимущество в реальных реализациях еще предстоит убедительно продемонстрировать. В недавней статье исследователей из Пекинского университета и других институтов Китая, опубликованной в журнале Nature Electronics, описывается реализация полевых транзисторов на основе углеродных нанотрубок, которые можно масштабировать до размеров 10-нм кремниевых технологических узлов.

Масштабируемый метод создания сегнетоэлектрических полевых транзисторов на основе AlScN и двумерных полупроводников

Исследователи из Пенсильванского университета, Пенсильванского государственного университета и других университетов мира недавно представили стратегию создания полевых транзисторов на полевых транзисторах с использованием процессов, аналогичных тем, которые в настоящее время используются для производства полевых транзисторов. Их статья, опубликованная в журнале Nature Nanotechnology, может проложить путь к широкому внедрению этих двухфункциональных транзисторов.

Разработан самый маленький и самый быстрый в мире наноэкситонный транзистор

Команда POSTECH, состоящая из профессора Kyoung-Duck Park и Yeonjeong Koo с физического факультета, и группы из Университета ИТМО в России под руководством профессора Василия Кравцова, совместно разработала наноэкситонный транзистор с использованием внутрислойных и межслойных экситонов в полупроводниках на основе гетероструктур, который решает ограничения существующих транзисторов. Исследование было недавно опубликовано в журнале ACS Nano.