2024-03-25

Квантовая интерференция повышает производительность одномолекулярных транзисторов

Разработан одномолекулярный транзистор, который использует квантовую интерференцию для управления потоком электронов. Транзистор, описанный в статье, опубликованной в журнале Nature Nanotechnology, открывает новые возможности использования квантовых эффектов в электронных устройствах. Проводящий канал транзистора представляет собой один порфирин цинка, молекулу, способную проводить электричество. Порфирин зажат между двумя графеновыми электродами, и когда к электродам прикладывается напряжение, поток электронов через молекулу можно контролировать с помощью квантовой интерференции. Новый транзистор стабилен и имеет очень высокий коэффициент включения/выключения. Подпороговое колебание транзистора 140 mV/dec, что лучше, чем у других аналогов и сравнимо с устройствами из углеродных нанотрубок.

2024-03-13

Прямое наблюдение расщепления альтермагнитных зон в тонких пленках CrSb

В сотрудничестве с группой теоретиков под руководством профессора Хайро Синовой и доктора Либора Шмейкала физик-экспериментатор доктор Сонка Реймерс и ее коллеги из лаборатории профессора Матиаса Кляуи в Институте физики Университета Йоханнеса Гутенберга в Майнце (JGU) продемонстрировали альтермагнитное расщепление электронных зон, связанных со спиновой поляризацией в CrSb. «Масштаб этого явления, наблюдаемого в хорошем проводнике и при комнатной температуре, является необычайным и многообещающим с точки зрения электронного применения альтермагнетиков», — сказал профессор Мартин Журдан, координатор исследования, недавно опубликованного в журнале Nature Communications.

2024-02-21

Магнитное состояние некоторых материалов можно переключать с помощью поверхностно-индуцированной деформации

Манипулировать ферромагнетиками легко: достаточно просто приложить внешнее магнитное поле, чтобы повлиять на его внутренние магнитные свойства. С антиферромагнетиками это невозможно, но выход есть: можно работать с поверхностной деформацией. Учёным удалось переключить спины в антиферромагнитном материале с помощью поверхностной деформации. Эксперименты с диоксидом урана показали, что с помощью механического напряжения можно немного сжать кристаллическую решетку , и этого достаточно, чтобы переключить магнитный порядок материала.

2024-02-07

Объявлены лауреаты премии Президента в области науки и инноваций для молодых учёных за 2023 год

Объявлены лауреаты премии Президента РФ в области науки и инноваций для молодых ученых за 2023 год. Награду получили Сусанна Гордлеева, Сергей Павлушин и Ольга Якубович. Имена лауреатов на пресс-конференции объявили помощник Президента Андрей Фурсенко и председатель Координационного совета по делам молодёжи в научной и образовательной сфере Совета при Президенте по науке и образованию Никита Марченков. Размер премии Президента РФ в области науки и инноваций для молодых ученых — 5 млн руб. Ее присуждают с 2008 года молодым российскими ученым и специалистам за значительный вклад в развитие отечественной науки, разработку образцов новой техники и технологий, обеспечивающих инновационное развитие экономики и социальной сферы, а также укрепление обороноспособности страны.

2023-10-16

Устойчивая переключаемая поляризация и связанные электронные характеристики оксида цинка, легированного магнием

Новое исследование Университета Флиндерс и Университета Нового Южного Уэльса в Сиднее, опубликованное в журнале ACS Nano, исследует переключаемую поляризацию в новом классе совместимых с кремнием оксидов металлов и прокладывает путь для разработки передовых устройств, включая хранение данных с высокой плотностью хранения, электронику со сверхнизким энергопотреблением, гибкие устройства сбора энергии и носимые устройства.

2023-10-10

6-я Международная молодёжная конференция "Радиоэлектроника, электротехника и энергетика" (REEPE)

29 февраля 2024 г. — 2 марта 2024 г., срок заявок: 15 ноября 2023 г. Россия, Москва (издание включено в: Scopus). Форма участия: очная. Язык информации: Русский. Язык конференции: английский. Последний день подачи заявки: 15 ноября 2023 г. Организаторы: НИУ «МЭИ»; IEEE Industry Applications Society (IEEE IAS); Колледж инженерии и технологий, Арабская академия науки, технологии и морского транспорта (AASTMT), г. Каир, Египет; Инженерный колледж, AUS-университет, г. Шарджа, Объединенные Арабские Эмираты; МГТУ им. Баумана.

2023-07-27

Масштабирование транзисторов с выровненными углеродными нанотрубками до узлов менее 10 нм

Полевые транзисторы на основе углеродных нанотрубок потенциально могут превзойти более мелкие транзисторы на основе кремния, однако их преимущество в реальных реализациях еще предстоит убедительно продемонстрировать. В недавней статье исследователей из Пекинского университета и других институтов Китая, опубликованной в журнале Nature Electronics, описывается реализация полевых транзисторов на основе углеродных нанотрубок, которые можно масштабировать до размеров 10-нм кремниевых технологических узлов.

2023-07-21

XХX Международная научно-техническая конференция студентов и аспирантов "Радиоэлектроника, электротехника и энергетика"

29 февраля 2024 г. — 2 марта 2024 г., срок заявок: 20 ноября 2023 г. Россия, Москва (издание включено в: РИНЦ)..Форма участия: очная. Язык информации: Русский. Приглашаем студентов и аспирантов российских и зарубежных вузов и научных организаций принять участие в XХX Международной научно-технической конференции студентов и аспирантов «Радиоэлектроника, электротехника и энергетика» с 29 февраля по 2 марта 2024 года в НИУ «МЭИ». На конференции представлены 65 секций в 13 научных направлениях, посвященным вопросам радиоэлектроники, электротехники и энергетики. Ежегодно в конференции принимают участие порядка тысячи студентов и аспирантов из более чем 50 вузов и научных организаций. Тезисы докладов конференции публикуются в электронном и печатном виде с присвоением ISBN и регистрацией издания в Книжной палате и размещаются в системе РИНЦ.

2023-06-29

Разработан интегрированный электрооптический изолятор на тонкопленочном ниобате лития

Группа исследователей во главе с инженером-электриком Марко Лончаром из SEAS разработала метод создания высокоэффективного интегрированного изолятора, который легко встраивается в оптический чип из ниобата лития. Об их выводах сообщается в Nature Photonics. Оптический изолятор может радикально улучшить оптические системы для многих практических приложений.

2023-06-07

Революционный оптический контроль с топологическими краевыми состояниями

Группа исследователей из Уханьской национальной лаборатории оптоэлектроники (WNLO) и Школы оптической и электронной информации (OEI) Хуачжунского университета науки и технологий (HUST) в Китае недавно совершила значительный прорыв. Как сообщается в Advanced Photonics, они разработали инновационный подход для эффективного управления транспортом топологических граничных состояний (TES) для переключателя оптических каналов на микросхеме кремний-на-изоляторе (КНИ).


PhysReal • Физическая реальность

Администрация не несет ответственности за достоверность информации, опубликованной в рекламных объявлениях. Материалы, опубликованные в блогах, отражают позиции их авторов, которые могут не совпадать с мнением редакции. Использование публикаций сайта разрешается при наличии прямой ссылки на PhysReal.
Контактный E-mail:

Telegram: https://t.me/physreal
ВКонтакте: https://vk.com/physreal
RSS (XML): Новости физики

Copyright © 2024 Development by Programilla.com