Масштабирование транзисторов с выровненными углеродными нанотрубками до узлов менее 10 нм

Полевые транзисторы на основе углеродных нанотрубок потенциально могут превзойти более мелкие транзисторы на основе кремния, однако их преимущество в реальных реализациях еще предстоит убедительно продемонстрировать. В недавней статье исследователей из Пекинского университета и других институтов Китая, опубликованной в журнале Nature Electronics, описывается реализация полевых транзисторов на основе углеродных нанотрубок, которые можно масштабировать до размеров 10-нм кремниевых технологических узлов.

Разработан интегрированный электрооптический изолятор на тонкопленочном ниобате лития

Группа исследователей во главе с инженером-электриком Марко Лончаром из SEAS разработала метод создания высокоэффективного интегрированного изолятора, который легко встраивается в оптический чип из ниобата лития. Об их выводах сообщается в Nature Photonics. Оптический изолятор может радикально улучшить оптические системы для многих практических приложений.

Революционный оптический контроль с топологическими краевыми состояниями

Группа исследователей из Уханьской национальной лаборатории оптоэлектроники (WNLO) и Школы оптической и электронной информации (OEI) Хуачжунского университета науки и технологий (HUST) в Китае недавно совершила значительный прорыв. Как сообщается в Advanced Photonics, они разработали инновационный подход для эффективного управления транспортом топологических граничных состояний (TES) для переключателя оптических каналов на микросхеме кремний-на-изоляторе (КНИ).

Проводящий самовосстанавливающийся гидрогель для создания гибких сенсоров

Исследователи из Харбинского университета науки и технологий в Китае недавно разработали новый проводящий и самовосстанавливающийся гидрогель, который можно использовать для создания гибких датчиков для носимых устройств, роботов и других устройств. Этот материал и его состав были описаны в Journal of Science: Advanced Materials and Devices.

Первое свидетельство нового сверхпроводящего состояния в изинговском сверхпроводнике

В новаторском эксперименте ученые из Гронингенского университета совместно с коллегами из голландских университетов Неймеген и Твенте и Харбинского технологического института (Китай) обнаружили существование сверхпроводящего состояния, которое впервые было предсказано в 2017 году. Они представляют доказательства особого варианта сверхпроводящего состояния FFLO в журнале Nature. Это открытие может иметь важные приложения, особенно в области сверхпроводящей электроники.

Термализация и динамика высокоэнергетических квазичастиц в сверхпроводящем нанопроводе

В новом отчете в журнале Nature Physics Т. Жалабер и группа исследователей из Франции использовали сканирующий туннельный микроскоп для независимой настройки энергии и скорости инжекции квазичастиц с помощью напряжения смещения и туннельного тока. Квазичастицы высокой энергии зависели от инжектируемой мощности и скорости инжекции, чтобы обеспечить уменьшенный критический ток на нанопроволоке. Результаты выявили тепловой механизм, лежащий в основе снижения критического тока, чтобы дать представление о быстрой динамике генерируемой горячей точки.

Физики открыли первые трансформируемые наноэлектронные устройства

Физики из Калифорнийского университета в Ирвине сообщили об открытии наноразмерных устройств, которые могут трансформироваться во множество различных форм и размеров, даже если они существуют в твердом состоянии. Это открытие может коренным образом изменить природу электронных устройств, а также то, как ученые исследуют квантовые материалы атомного масштаба. Исследование опубликовано в Science Advances.

Разработан самый маленький и самый быстрый в мире наноэкситонный транзистор

Команда POSTECH, состоящая из профессора Kyoung-Duck Park и Yeonjeong Koo с физического факультета, и группы из Университета ИТМО в России под руководством профессора Василия Кравцова, совместно разработала наноэкситонный транзистор с использованием внутрислойных и межслойных экситонов в полупроводниках на основе гетероструктур, который решает ограничения существующих транзисторов. Исследование было недавно опубликовано в журнале ACS Nano.