Инженерные поверхностные атомные структуры для электроники следующего поколения

Исследователи из Университета Осаки обнаружили, что поверхностная электронная структура гексаборида самария, происходящая из топологии объемной электронной структуры, может контролироваться путем изменения состояния поверхности. Их выводы могут привести к новым технологиям для высокоскоростной электроники.

Хаотическая цепь демонстрирует беспрецедентные свойства равновесия

Математические выводы открыли хаотическую схему на основе мемристоров, в которой различные колебательные фазы могут сосуществовать по шести возможным линиям. В новом исследовании, опубликованном в The European Physical Journal Special Topics, группа под руководством Джанартанана Рамадоса из Технологического института Ченнаи, Индия, разработала хаотическую схему с шестью отдельными линиями равновесия — больше, чем когда-либо было продемонстрировано ранее.

Новый метод создания вертикальных стопок из чередующихся слоев сверхпроводника

Ученые из Манчестерского университета разработали новый, но простой метод создания вертикальных стопок из чередующихся слоев сверхпроводника и изолятора из дисульфида тантала (TaS2). Выводы группы под руководством профессора Рахула Наира могут ускорить процесс производства таких устройств — так называемых ван-дер-ваальсовых гетероструктур — с применением в высокомобильных транзисторах, фотогальванике и оптоэлектронике.

Исследователи сообщают о высокой подвижности носителей кубического арсенида бора

Кубический арсенид бора, полупроводник со сверхвысокой теплопроводностью, сравнимой с алмазом, привлекает широкое внимание с 2018 года, и многие люди задаются вопросом, подходит ли он для транзисторов.

Контроль вращения электрона при комнатной температуре

В течение десятилетий ученые пытались использовать электрические поля для управления вращением электрона при комнатной температуре, но добиться эффективного контроля было трудно. В исследовании, недавно опубликованном в журнале Nature Photonics, исследовательская группа во главе с Цзяном Ши и Равишанкаром Сундарараманом из Политехнического института Ренсселера и Юанем Пингом из Калифорнийского университета в Санта-Круз сделала шаг вперед в решении этой дилеммы.

Новый сверхтонкий конденсатор может позволить создавать энергоэффективные микросхемы

Компьютерные чипы на основе кремния, которые питают наши современные устройства, требуют для работы огромное количество энергии. Несмотря на постоянное повышение эффективности вычислений, по прогнозам, к 2030 году информационные технологии будут потреблять около 25% всей первичной энергии, производимой. Исследователи в области микроэлектроники и материаловедения ищут способы устойчивого управления глобальной потребностью в вычислительной мощности.

Многоуровневое переключение поляризации в тонких сегнетоэлектрических пленках

Сегнетоэлектрические материалы нашли широкое применение в повседневных технологиях в основном благодаря их электрической поляризации, которая может переключаться между двумя различными состояниями. Преодоление бинарного предела сегнетоэлектриков для достижения любого произвольного значения поляризации было давней проблемой, но потенциально может значительно расширить сферу применения сегнетоэлектриков, например, в направлении нейроморфных вычислений.

Решена загадка электронной нематичности сверхпроводников на основе железа

Исследователи из группы PSI «Спектроскопия квантовых материалов» вместе с учеными из Пекинского педагогического университета решили загадку на переднем крае исследований сверхпроводников на основе железа: происхождение электронной нематичности FeSe. Используя резонансное неупругое рассеяние рентгеновских лучей (RIXS) в швейцарском источнике света (SLS), они обнаружили, что, как это ни удивительно, это электронное явление в основном обусловлено вращением. Электронная нематичность считается важным компонентом высокотемпературной сверхпроводимости, но помогает она ей или мешает, пока неизвестно. Их выводы опубликованы в журнале Nature Physics.

Новый метод измерения в молекулярной электронике

В молекулярной электронике отдельные молекулы растягиваются между двумя электродами, образуя электропроводящий элемент, в котором затем измеряется молекулярная проводимость. Хотя метод, лежащий в основе этого явления, сканирующая туннельная микроскопия, был удостоен Нобелевской премии более тридцати лет назад, основное ограничение остается: чтобы получить доступ к молекулярной проводимости, измеряемые молекулы должны быть постоянно прикреплены к неорганическим золотым электродам, обычно через серные мосты.

Найден способ формировать диоды из сверхпроводников

Группа исследователей из Пизы, Ювяскюля, Сан-Себастьяна и Массачусетского технологического института продемонстрировала, как можно использовать гетероструктуру, состоящую из сверхпроводников и магнитов, для создания однонаправленного тока, подобного тому, что встречается в полупроводниковых диодах. Однако эти новые сверхпроводниковые диоды работают при гораздо более низких температурах , чем их полупроводниковые аналоги, и поэтому их можно использовать в квантовых технологиях.