Создан первый двумерный ферримагнетизм в графене

Ученые Санкт-Петербургского университета совместно с зарубежными коллегами создали первый в мире двумерный ферромагнетик в графене. Использование полученного магнитного состояния графена может стать основой нового подхода к электронике, повышения ее энергоэффективности и быстродействия при разработке устройств по альтернативным технологиям без использования кремния. Результаты исследования опубликованы в журнале Physical Review Letters.

Рентгеновский шаг к сверхбыстрой наноэлектронике

Группа физиков из Польши, Германии и Италии, работающая на европейской установке XFEL и на установке DESY в Гамбурге, теперь может похвастаться значительным достижением в этой области: их исследование в npj Computational Materials представляет собой первый инструмент, который позволяет имитировать процесс размагничивания, вызванного рентгеновским излучением. Ученые из Института ядерной физики Польской академии наук (IFJ PAN) в Кракове являются важной частью команды.

Самые тонкие ступени атомарной лестницы состоят из различных электрических потенциалов

Исследование Тель-Авивского университета выявило двумерные кристаллы, демонстрирующие уникальный контроль отдельных ступеней электрического потенциала за счет скольжения атомарно тонких слоев друг относительно друга. Описываемые последовательные, чрезвычайно тонкие электрические переключатели являются весьма желанным ресурсом для информационных технологий и новых электро- и оптомеханических приложений.

Влияние субстратов на электронные взаимодействия

Новое исследование Университета Монаша иллюстрирует, как субстраты влияют на сильные электронные взаимодействия в двумерных металлоорганических каркасах. Когда эти материалы помещаются на подложку, их электронные свойства изменяются в результате переноса заряда, деформации и гибридизации. Исследование также показывает, что электрические поля и приложенная деформация могут использоваться для "включения и выключения" взаимодействующих фаз, таких как магнетизм, что открывает возможности для потенциального применения в будущей энергоэффективной электронике.

Новый метод улавливания звуковых волн и света на чипе в крупномасштабных схемах

Исследовательская группа из Университета Твенте использовала многослойные нанофотонные схемы из нитрида кремния (Si₃N₄) с низкими потерями для ограничения как оптических, так и акустических волн. Эти схемы состоят из спиральных волноводов длиной 50 см. Эта установка улавливает звуковую волну и предотвращает акустическую утечку, возникающую при использовании одного сердечника из нитрида кремния.

Инженерные поверхностные атомные структуры для электроники следующего поколения

Исследователи из Университета Осаки обнаружили, что поверхностная электронная структура гексаборида самария, происходящая из топологии объемной электронной структуры, может контролироваться путем изменения состояния поверхности. Их выводы могут привести к новым технологиям для высокоскоростной электроники.

Хаотическая цепь демонстрирует беспрецедентные свойства равновесия

Математические выводы открыли хаотическую схему на основе мемристоров, в которой различные колебательные фазы могут сосуществовать по шести возможным линиям. В новом исследовании, опубликованном в The European Physical Journal Special Topics, группа под руководством Джанартанана Рамадоса из Технологического института Ченнаи, Индия, разработала хаотическую схему с шестью отдельными линиями равновесия — больше, чем когда-либо было продемонстрировано ранее.

Новый метод создания вертикальных стопок из чередующихся слоев сверхпроводника

Ученые из Манчестерского университета разработали новый, но простой метод создания вертикальных стопок из чередующихся слоев сверхпроводника и изолятора из дисульфида тантала (TaS2). Выводы группы под руководством профессора Рахула Наира могут ускорить процесс производства таких устройств — так называемых ван-дер-ваальсовых гетероструктур — с применением в высокомобильных транзисторах, фотогальванике и оптоэлектронике.

Исследователи сообщают о высокой подвижности носителей кубического арсенида бора

Кубический арсенид бора, полупроводник со сверхвысокой теплопроводностью, сравнимой с алмазом, привлекает широкое внимание с 2018 года, и многие люди задаются вопросом, подходит ли он для транзисторов.

Контроль вращения электрона при комнатной температуре

В течение десятилетий ученые пытались использовать электрические поля для управления вращением электрона при комнатной температуре, но добиться эффективного контроля было трудно. В исследовании, недавно опубликованном в журнале Nature Photonics, исследовательская группа во главе с Цзяном Ши и Равишанкаром Сундарараманом из Политехнического института Ренсселера и Юанем Пингом из Калифорнийского университета в Санта-Круз сделала шаг вперед в решении этой дилеммы.