Новая система измеряет полный гистерезис намагниченности на частотах в диапазоне МГц и при высоких магнитных полях

Традиционные методы измерения высокочастотных магнитных характеристик сталкиваются с двумя основными проблемами. Во-первых, для генерации достаточно сильных магнитных полей на высоких частотах требуются высокая мощность и высокое напряжение. Во-вторых, многие методы позволяют исследовать только начальную область намагниченности, поскольку достижимая амплитуда магнитного поля ограничена. Учёные из Университета Цукуба разработали систему магнитных измерений, способную точно измерять всю петлю магнитогистерезиса, включая необратимый процесс намагничивания, вплоть до насыщения, даже в условиях высоких частот (диапазон МГц) и сильных полей (до 0,5 Тл). Система использует низкоимпедансную LC-резонансную катушку возбуждения, способную стабильно генерировать переменные магнитные поля большой амплитуды в мегагерцовом диапазоне. Такая конструкция позволяет проводить количественные и высоковоспроизводимые измерения намагниченности, которые ранее были недостижимы. Результаты опубликованы в журнале IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement.

XXIII Конференция "Сильно коррелированные электронные системы и квантовые критические явления"

XXIII Конференция "Сильно коррелированные электронные системы и квантовые критические явления" состоится 21 мая 2026 г. в Физическом институте им. П.Н. Лебедева по адресу: Ленинский пр. 53, Москва. Традиционно на Конференции будут представлены материалы по таким темам, как магнитные и Кондо - системы, волны зарядовой и спиновой плотности, топологические материалы, включая: топологические изоляторы и полуметаллы, сверхпроводимость и топологические сверхпроводники, сверхпроводники с магнитным упорядочением, электронное фазовое расслоение, фазовые переходы и критические явления, влияние давления на физические свойства и пр.

Сверхвысокочувствительные широкополосные гибкие фотодетекторы

Исследовательская группа из UNIST представила гибкий фотодетектор, способный преобразовывать свет в широком спектре — от видимого до ближнего инфракрасного — в электрические сигналы. Фотодетекторы разработаны на основе гетероперехода перовскит-органических соединений (POH-PD), сочетающие высокую чувствительность с исключительной точностью в ближнем инфракрасном (ИК) диапазоне. Результаты исследования опубликованы в журнале Advanced Functional Materials.

Электрически накачиваемые сверхъяркие запутанные фотоны на чипе

Учёные из Китайского университета науки и технологий, Цзинаньского института квантовых технологий, Института полупроводников Китайской академии наук и других институтов разработали новый фотонный чип с интегрированной системой генерации запутанных фотонов, способный генерировать запутанные фотоны с помощью лазера, работающего от электрического тока. Результаты исследования опубликованы в журнале Physical Review Letters. 

Побит рекорд в укладке полупроводниковых транзисторов для электроники большой площади

Исследователи из Университета науки и технологий имени короля Абдаллы (KAUST; Саудовская Аравия) установили рекорд в области разработки микросхем, создав первую шестислойную гибридную КМОП-структуру (комплементарную структуру металл-оксид-полупроводник) для электронных компонентов большой площади. Поскольку до сих пор не было известно ни об одной гибридной КМОП-структуре, превышающей два слоя, это достижение знаменует собой новый стандарт плотности интеграции и эффективности, открывая возможности для миниатюризации и повышения производительности электроники. Статья опубликована в журнале Nature Electronics.

V Международная научно-практическая конференция "Компьютерные приложения для управления и устойчивого развития, материаловедение и оптика" (CMSD-V-2025)

22 декабря 2025 г. — 24 декабря 2025 г., срок заявок: 16 декабря 2025 г. Таджикистан, Душанбе (издание включено в: РИНЦ, Scopus, eLibrary, DOI). Форма участия: очно-заочная. Язык информации: русский. Приглашаем Вас опубликовать свои научные труды в журнале Proceedings of SPIE – The International Society for Optical Engineering (индексируется в международных базах Scopus и Web of Science) по результатам V Международной научно-практической конференции «Компьютерные приложения для управления и устойчивого развития, материаловедение и оптика» (CMSD-V-2025), которая состоится на базе Таджикского технического университета имени академика М. Осими (г. Душанбе, Республика Таджикистан). Журнал Proceedings of SPIE – The International Society for Optical Engineering индексируется в международных базах Scopus (по CiteScore – 4 квартиль, по SJR – без квартиля) и Web of Science (без квартиля, выборочная индексация статей). Для участия в конференции приглашаются студенты, аспиранты, преподаватели, молодые ученые, работники профильных организаций, ученые различных научно-исследовательских и образовательных учреждений, а также представители государственных учреждений.

III Всероссийская научно-техническая конференция "Полупроводниковые материалы в современной микро- и наноэлектронике"

13 ноября 2025 г. — 14 ноября 2025 г., срок заявок: 31 октября 2025 г. Россия, Махачкала (издание включено в: РИНЦ, eLibrary). Форма участия: очно-заочная. Язык информации: русский. Последний день подачи заявки: 31 октября 2025 г. Организаторы: ФГБОУ ВО "Дагестанский государственный технический университет". Оргкомитет приглашает студентов, аспирантов и молодых исследователей, учёных, инженеров, преподавателей ВУЗов и работников промышленности принять участие в III Всероссийской научно-технической конференции "Полупрводниковые материалы в современной микро- и наноэлектронике" памяти д.ф.-м.н., профессора Билалова Билала Аруговича, которая будет проходить в Дагестанском государственном техническом университете 13-14 ноября 2025 г.

Пикосекундное расширение в LaAlO₂, резонансно управляемое инфракрасно-активными фононами

Облучая синтетическую тонкую пленку (алюминат лантана) сверхбыстрыми импульсами низкочастотного инфракрасного света, учёные заставили ее атомарно расширяться и сжиматься миллиарды раз в секунду — это "дыхание", вызванное деформацией, можно использовать для быстрого включения и выключения электронных, магнитных или оптических свойств материала. Исследование опубликовано в журнале Physical Review Letters. Растяжение и сжатие материала для создания деформации является распространенным методом управления его свойствами, однако использование света для этой цели изучено меньше.

Одноквантовое устройство, измеряющее амперы, вольты и омы

Физики показали, как одно квантовое устройство может точно измерять три основные единицы электричества: ампер (единицу силы электрического тока), вольт (единицу электрического потенциала) и ом (единицу электрического сопротивления). Это значительный прорыв, поскольку до сих пор ни один прибор не мог измерить все три основные электрические единицы в одной практичной системе. Джейсон Андервуд из Национального института стандартов и технологий (NIST) в Мэриленде и его коллеги продемонстрировали, как это устройство может быть создано благодаря интеграции двух ключевых квантовых систем в один криостат. А именно, специального типа резистора, называемого квантовым аномальным резистором Холла (QAHR), и программируемого джозефсоновского стандарта напряжения (PJVS). Криостат обеспечивает необходимую низкотемпературную среду для их эффективной работы. Данное исследование упрощает процесс проведения высокоточных электрических измерений и может привести к созданию новых способов определения электрических стандартов. Работа опубликована в журнале Nature Electronics.

Простое решение позволяет получать сверхтонкие листы сульфида олова для электроники следующего поколения

Группа исследователей из Университета Тохоку, Национального института квантовой науки и технологий (QST) и Кембриджского университета продемонстрировала новый способ создания уникального материала под названием сульфид олова (SnS), который проводит электричество и реагирует на свет уникальным образом — может помочь в создании более совершенных и компактных электронных устройств. Результаты их работы опубликованы в журнале Nano Letters.