Масштабирование транзисторов с выровненными углеродными нанотрубками до узлов менее 10 нм

Полевые транзисторы на основе углеродных нанотрубок потенциально могут превзойти более мелкие транзисторы на основе кремния, однако их преимущество в реальных реализациях еще предстоит убедительно продемонстрировать. В недавней статье исследователей из Пекинского университета и других институтов Китая, опубликованной в журнале Nature Electronics, описывается реализация полевых транзисторов на основе углеродных нанотрубок, которые можно масштабировать до размеров 10-нм кремниевых технологических узлов.

Масштабируемый метод создания сегнетоэлектрических полевых транзисторов на основе AlScN и двумерных полупроводников

Исследователи из Пенсильванского университета, Пенсильванского государственного университета и других университетов мира недавно представили стратегию создания полевых транзисторов на полевых транзисторах с использованием процессов, аналогичных тем, которые в настоящее время используются для производства полевых транзисторов. Их статья, опубликованная в журнале Nature Nanotechnology, может проложить путь к широкому внедрению этих двухфункциональных транзисторов.

Первое свидетельство нового сверхпроводящего состояния в изинговском сверхпроводнике

В новаторском эксперименте ученые из Гронингенского университета совместно с коллегами из голландских университетов Неймеген и Твенте и Харбинского технологического института (Китай) обнаружили существование сверхпроводящего состояния, которое впервые было предсказано в 2017 году. Они представляют доказательства особого варианта сверхпроводящего состояния FFLO в журнале Nature. Это открытие может иметь важные приложения, особенно в области сверхпроводящей электроники.

Термализация и динамика высокоэнергетических квазичастиц в сверхпроводящем нанопроводе

В новом отчете в журнале Nature Physics Т. Жалабер и группа исследователей из Франции использовали сканирующий туннельный микроскоп для независимой настройки энергии и скорости инжекции квазичастиц с помощью напряжения смещения и туннельного тока. Квазичастицы высокой энергии зависели от инжектируемой мощности и скорости инжекции, чтобы обеспечить уменьшенный критический ток на нанопроволоке. Результаты выявили тепловой механизм, лежащий в основе снижения критического тока, чтобы дать представление о быстрой динамике генерируемой горячей точки.

Разработан самый маленький и самый быстрый в мире наноэкситонный транзистор

Команда POSTECH, состоящая из профессора Kyoung-Duck Park и Yeonjeong Koo с физического факультета, и группы из Университета ИТМО в России под руководством профессора Василия Кравцова, совместно разработала наноэкситонный транзистор с использованием внутрислойных и межслойных экситонов в полупроводниках на основе гетероструктур, который решает ограничения существующих транзисторов. Исследование было недавно опубликовано в журнале ACS Nano.

Высокоскоростное и высокочувствительное терагерцовое обнаружение с использованием графенового транзистора

Исследовательская группа успешно обнаружила терагерцовые волны с быстрым откликом и высокой чувствительностью при комнатной температуре. Команду возглавили доцент Акира Сато из Научно-исследовательского института электрических коммуникаций Университета Тохоку (RIEC) и Хироаки Минамид из Центра передовой фотоники RIKEN. Подробности их прорыва были опубликованы в Интернете в виде избранной статьи в APL Photonics 2 декабря 2022 года.

Тепловой сверхпроводящий квантово-интерференционный бесконтактный транзистор

Исследователи из Istituto Nanoscienze (CNR) и Scuola Normale Superiore в Италии недавно разработали транзистор, в котором используются преимущества сверхпроводников. Их транзистор, получивший название теплового сверхпроводящего квантово-интерференционного бесконтактного транзистора (T-SQUIPT), был представлен в статье, опубликованной в журнале Nature Physics.