Физики используют лазерные поля для точного измерения и контроля электронной эмиссии металлов

Путем наложения двух лазерных полей разной силы и частоты можно измерять и контролировать эмиссию электронов металлов с точностью до нескольких аттосекунд. Физики из Университета Фридриха-Александра Эрлангена-Нюрнберга (FAU), Ростокского и Констанцского университетов показали, что это так. Это достижение может привести к новым открытиям в области квантовой механики и создать электронные схемы, работающие в миллион раз быстрее, чем сегодня. Исследователи опубликовали свои выводы в журнале Nature.

Монослойный гексагональный нитрид бора может увеличить предел плазмонного усиления

Исследовательская группа под руководством профессора Ян Лянбао из Института физических наук Хэфэя Китайской академии наук обнаружила, что гексагональный нитрид бора (h-BN) может эффективно блокировать туннелирование электронов и расширять пределы плазмонного усиления в одноатомном межслоевом промежутке, что даёт глубокое понимание квантово-механических эффектов в плазмонных системах и открывает новые приложения, основанные на квантовой плазмонике. Результаты были опубликованы в Nano Letters.

Термализация и динамика высокоэнергетических квазичастиц в сверхпроводящем нанопроводе

В новом отчете в журнале Nature Physics Т. Жалабер и группа исследователей из Франции использовали сканирующий туннельный микроскоп для независимой настройки энергии и скорости инжекции квазичастиц с помощью напряжения смещения и туннельного тока. Квазичастицы высокой энергии зависели от инжектируемой мощности и скорости инжекции, чтобы обеспечить уменьшенный критический ток на нанопроволоке. Результаты выявили тепловой механизм, лежащий в основе снижения критического тока, чтобы дать представление о быстрой динамике генерируемой горячей точки.

Вероятность того, что электрон подвергнется туннелированию, фаза и время туннелирования зависят от хиральности молекулы

Две команды учёных обнаружили, что вероятность того, что электрон подвергнется туннелированию, фаза, в которой электрон туннелирует наружу, и время туннелирования зависят от хиральности молекулы. Эти захватывающие результаты закладывают основу для дополнительных исследований, которые будут использовать уникальные свойства симметрии хиральных молекул для изучения самых быстрых процессов, происходящих при взаимодействии света с веществом. Статья опубликована в журнале Physical Review X.