Доказательства обратимого движения ионов кислорода во время электрических импульсов — фактор появления сегнетоэлектричества в бинарных оксидах

Исследователи обнаружили, что возникающее сегнетоэлектричество существует в ультратонкой оксидной системе из-за микроскопической миграции ионов в процессе переключения. Эти сегнетоэлектрические бинарные оксидные пленки управляются механизмом переключения, ограниченным границей раздела. Устройства энергонезависимой памяти с ультратонкими аморфными диэлектриками снижали рабочее напряжение до ±1 В. Это открывает новый путь для решений в области технологий энергонезависимого хранения, которые могут избежать недостатков снижения надежности и увеличения утечки затвора при масштабировании поликристаллических легированных пленок.

Гистерезис напряжения, скрытый в асимметричном пути реакции

Обнаружено, что гистерезис напряжения в литий-ионных аккумуляторах — катодном материале перезаряжаемой батареи с высокой плотностью энергии — во время процессов зарядки и разрядки вызван различиями в образовавшихся промежуточных кристаллических фазах. Исследование опубликовано в Energy Storage Materials. Результаты выявили механизм возникновения гистерезиса напряжения, несовместимый с традиционной теорией.