Общая теория реализации двухслойного сегнетоэлектричества

Исследовательская группа из Фуданьского университета и Шанхайского института Ци Чжи предложила теорию двухслойного сегнетоэлектричества, в которой два сложенных слоя одного и того же двумерного материала с разным вращением и перемещением демонстрируют сегнетоэлектричество. Эта теория, представленная в журнале Physical Review Letters, может дать информацию для синтеза этих полезных материалов и предложить обобщающее руководство о том, как можно спроектировать два сложенных слоя одного и того же двумерного материала, чтобы они проявляли сегнетоэлектричество.