2023-02-14

Псевдоспин-селективная разработка полос Флоке в черном фосфоре

Исследователи из Университета Цинхуа, Бейханского университета и Китайской академии наук в Китае недавно продемонстрировали экспериментальную реализацию инженерии зон Флоке в модельном полупроводнике, а именно в черном фосфоре. Их статья, опубликованная в журнале Nature, может послужить основой для будущих исследований, изучающих инженерию Флоке полупроводниковых материалов и пытающихся реализовать возникающие явления, индуцированные светом, такие как индуцированные светом топологические фазовые переходы.