Аномальная зависимость волны плотности заряда и реконструкции поверхности Ферми от давления в BaFe₂Al₉
Учёные заменили низкие температуры высоким экстремальным давлением — открыт способ эффективной передачи электрического тока через определенные материалы при комнатной температуре. Это открытие может произвести революцию в сверхпроводимости и изменить подходы к сохранению и генерации энергии. Исследование показывает, что поведение волн зарядовой плотности не только усиливается под экстремальным давлением, но и может проявляться при комнатной температуре, что, по мнению авторов, является редким и захватывающим открытием. Этот вывод резко контрастирует с тем, что обычно наблюдается в других двумерных материалах, где волны зарядовой плотности ослабевают под давлением. Статья опубликована в журнале Physical Review Letters.
Рис. 1. Фрактальная структура BaFe2Al9 при различных давлениях, рассчитанная с использованием теории функционала плотности (DFT) с учетом экспериментально полученных параметров решетки (с фиксированными дробными координатами Al, соответствующими условиям окружающей среды). Источник: Physical Review Letters (2025). DOI: 10.1103/dxzf-fx8k.
Благодаря методам спектроскопии мюонного резонанса, рассеянию нейтронов и ARPES, учёные могут наблюдать волну плотности заряда, которая не только сохраняется, но и усиливается вплоть до комнатной температуры, что открывает совершенно новые пути для исследования коррелированных электронных систем.
Рис. 2. (a) M(T) при различных фиксированных давлениях, измеренных в процессе нагрева. (b) Зависимость TCDW от давления, полученная из измерений как при охлаждении, так и при нагреве. Пунктирная линия приведена для наглядности, чтобы подчеркнуть общую тенденцию изменения TCDW в зависимости от давления. Источник: Physical Review Letters (2025). DOI: 10.1103/dxzf-fx8k.
Исследование демонстрирует, что волны плотности заряда могут усиливаться при комнатной температуре под давлением, что указывает на возможность создания материалов, способных работать более эффективно без необходимости использования экстремально низких температур, делая внедрение передовых электронных технологий проще и экономичнее.
