Фото. Доктор Мэнке Лю, доцент кафедры физики Техасского университета в Далласе, использует двухмерную платформу для переноса внутри перчаточного бокса для изготовления атомарно тонких квантовых устройств. Она и её коллеги обнаружили необычную атомную структуру в материале на основе урана, которая обеспечивает ему редкое сочетание магнитных свойств. Это открытие может открыть новые пути для разработки передовых электронных и компьютерных запоминающих устройств. Фото: Техасский университет в Далласе.

Для исследования и получения изображений высокого разрешения поверхностей материалов на атомном уровне в работе были использованы два вида микроскопии: просвечивающая электронная и сканирующая туннельная. Используя эти методы, в образце UOTe была обнаружена повторяющаяся, скрученная структурная схема атомов, называемая хиральной сверхрешеткой. По мнению исследователей, это является результатом наличия у материала как ферромагнитных, так и антиферромагнитных свойств.

Совокупные свойства этого материала могут оказаться ценными для будущих технологий магнитной компьютерной памяти. Антиферромагнитные материалы, как правило, более устойчивы к воздействию внешних магнитных полей и могут работать быстрее, чем обычные ферромагнетики. Оксителлурид урана известен с 1960-х годов, но с тех пор его исследования в значительной степени игнорировались. Теперь, благодаря современным технологиям, можно выявлять и изучать свойства, которые ранее оставались скрытыми.