Ученые разгадывают тайну эффекта Холла в поисках запоминающих устройств следующего поколения

Группа исследователей из Токийского университета в Японии, Корнеллского университета и Университета Джона Хопкинса в США и Университета Бирмингема в Великобритании предложила объяснение «эффекта Холла» в антиферромагнетике Вейля, материал, обладающий особенно сильным спонтанным эффектом Холла. Их результаты, опубликованные в журнале Nature Physics, имеют значение как для ферромагнетиков, так и для антиферромагнетиков, а значит, и для запоминающих устройств нового поколения в целом.

Открыт способ переключения намагниченности в тонких слоях ферромагнетика

Удерживая нужный материал под правильным углом, исследователи из Корнелла открыли способ переключения намагниченности в тонких слоях ферромагнетика — метод, который в конечном итоге может привести к разработке более энергоэффективных устройств магнитной памяти.

Новый экспериментальный подход к управлению характеристиками джозефсоновских переходов

Ученые ИФТТ РАН совместно с немецкими коллегами исследовали влияние инжекции спин-поляризованного тока на мезоскопические джозефсоновские крестообразные структуры сверхпроводник – нормальный металл/ферромагнетик – сверхпроводник.