Исследовательская группа под руководством профессора Ван Сяньлуна и доктора Ван Пэя из Хэфэйского института физических наук Китайской академии наук обнаружила одновременную отрицательную фотопроводимость (NPC) и сверхпроводимость посредством структурного перехода, вызванного давлением, в PbSe₀.₅Te₀.₅ (халькогенид свинца). Работа опубликована в журнале Advanced Materials. Было обнаружено, что переход PPC–NPC (от положительной к отрицательной фотопроводимости), вызванный давлением, возникает из-за сильного неравновесного распределения возбужденных носителей. Это происходит из-за усиленного электрон-фононного взаимодействия, возникающего в результате фототермического эффекта, который снижает концентрацию и подвижность носителей. Расчеты теории функционала плотности доказали, что резко улучшенные p–p и s–p гибридизации приводят к усилению электрон-фононного взаимодействия на уровне Ферми, облегчая переход полупроводника в сверхпроводник. Структурно-зависимая сверхпроводимость и NPC переключаются посредством электрон-фононного взаимодействия, опосредованного давлением, при освещении или охлаждении.
