Управление квантовыми состояниями в отдельных молекулах с помощью двумерных сегнетоэлектриков

В ходе недавнего экспериментального прорыва исследователи из Университета Аалто и Университета Ювяскюля продемонстрировали способность управлять квантовыми состояниями отдельных молекул с помощью электрически управляемой подложки. Их эксперимент показал, как особый двумерный материал, известный как SnTe, обеспечивает инструментальную стратегию, необходимую для управления молекулярными состояниями. Механизм, продемонстрированный исследователями, основан на способности субстрата настраивать внутреннее состояние молекул за счет внутренних электрических полей. Этот механизм, известный как сегнетоэлектрическое молекулярное переключение, позволяет исследователям управлять отдельными молекулами, просто прикладывая напряжение к подложке.

Самые тонкие ступени атомарной лестницы состоят из различных электрических потенциалов

Исследование Тель-Авивского университета выявило двумерные кристаллы, демонстрирующие уникальный контроль отдельных ступеней электрического потенциала за счет скольжения атомарно тонких слоев друг относительно друга. Описываемые последовательные, чрезвычайно тонкие электрические переключатели являются весьма желанным ресурсом для информационных технологий и новых электро- и оптомеханических приложений.

Новая стратегия разделения зарядов в сегнетоэлектрических фотокатализаторах

Недавно исследовательская группа под руководством профессора Ли Цаня и профессора Фань Фэнтао из Даляньского института химической физики (DICP) Китайской академии наук (CAS) предложила новую стратегию разделения зарядов для изготовления межфазных собирающих заряд наноструктур на положительные и отрицательные домены сегнетоэлектрика, что позволяет расщеплять воду в сегнетоэлектрических фотокатализаторах. Это исследование было опубликовано в Nature Communications 22 июля.

Многоуровневое переключение поляризации в тонких сегнетоэлектрических пленках

Сегнетоэлектрические материалы нашли широкое применение в повседневных технологиях в основном благодаря их электрической поляризации, которая может переключаться между двумя различными состояниями. Преодоление бинарного предела сегнетоэлектриков для достижения любого произвольного значения поляризации было давней проблемой, но потенциально может значительно расширить сферу применения сегнетоэлектриков, например, в направлении нейроморфных вычислений.