Выявлено влияние дефектов на свойство электронной эмиссии графеновых электродов
Изучив влияние радиационных дефектов на работу выхода графеновых электродов в термоэлектронных преобразователях энергии (ТЭП), исследовательская группа обнаружила, что образование дефектов в графене в результате облучения увеличивает работу выхода и снижает способность к эмиссии электронов. Это приводит к снижению выходной мощности и эффективности преобразования ТЭО. Исследовательская группа, возглавляемая профессором Ю Цзе и доцентом Цзян Чжичжуном из Института физических наук Хэфэй Китайской академии наук, опубликовала свои выводы в Applied Surface Science.