Перестраиваемая одномодовая генерация на высокодобротном резонаторе

Кристаллический ниобат лития (LN) считается «кремнием фотоники» из-за его выдающихся оптических свойств, включая широкое окно прозрачности и высокие пьезоэлектрические, акустооптические, нелинейные и электрооптические коэффициенты второго порядка, которые имеют решающее значение для фотоники на интегральных схемах (PIC). Недавние прорывы в технологии нанопроизводства облегчают создание множества высокопроизводительных интегрированных фотонных устройств на тонкопленочных LN - сверхбыстрые электрооптические модуляторы, широкополосные гребенки оптических частот и высокоэффективные преобразователи оптических частот.

Аттосекундное измерение электронов в кластерах воды

Исследователям из ETH Zurich под руководством профессора физической химии Ханса Якоба Вернера в сотрудничестве с коллегами из Национальной лаборатории Лоуренса в Беркли (США) удалось изучить динамику электронов в кластерах, состоящих из молекул воды, с временным разрешением всего в несколько секунд, аттосекунды. Их результаты недавно появились в виде предварительной публикации в научном журнале Nature.

Контроль вращения электрона при комнатной температуре

В течение десятилетий ученые пытались использовать электрические поля для управления вращением электрона при комнатной температуре, но добиться эффективного контроля было трудно. В исследовании, недавно опубликованном в журнале Nature Photonics, исследовательская группа во главе с Цзяном Ши и Равишанкаром Сундарараманом из Политехнического института Ренсселера и Юанем Пингом из Калифорнийского университета в Санта-Круз сделала шаг вперед в решении этой дилеммы.

Использование спасительного замедления реакции атомов кристалла на лавину фотонов

С помощью рентгеновских лазерных импульсов можно изучать структуру вещества с невиданной ранее точностью. Однако импульсы настолько сильные, что разрушают облучаемый образец. Тем не менее, польско-японской группе физиков только что удалось продемонстрировать, что атомы исследуемого кристалла реагируют на лавину фотонов с некоторой задержкой. Открытие означает, что с помощью достаточно коротких лазерных импульсов можно будет увидеть ненарушенную структуру материи.

Повышение производительности встроенной в оптоволокно квантовой памяти

Исследователи из Университета Хериот-Ватт смогли продемонстрировать запутанность между встроенной в волокно квантовой памятью и фотоном телекоммуникационной длины волны.

Оптическая демонстрация порога квантовой отказоустойчивости

В статье, опубликованной в журнале Light Science & Application, группа ученых под руководством профессора Чуан-Фэн Ли из Ключевой лаборатории квантовой информации CAS Университета науки и технологий Китая использовала пространственные моды двух запутанных фотонов для построения экспериментальной платформы и непосредственно наблюдали порог отказоустойчивости для исследованных квантовых схем.

Первый в мире самокалибрующийся фотонный чип

Исследования, проведенные Монашем и университетами RMIT в Мельбурне, нашли способ создать передовую фотонную интегральную схему, которая строит мосты между супермагистралями данных, революционизируя возможности подключения существующих оптических чипов и заменяя громоздкую 3D-оптику тонким пластинчатым слоем кремния.

Разработан умный электрооптический модулятор терагерцового диапазона

Исследовательская группа под руководством профессора Шэна Чжигао из Института физических наук Хэфэй (HFIPS) Китайской академии наук (CAS) разработала активный и интеллектуальный терагерцовый (ТГц) электрооптический модулятор. Их результаты были опубликованы в ACS Applied Materials & Interfaces.

Исследователи достигли рекордной запутанности квантовой памяти

Группа ученых под руководством профессора Харальда Вайнфуртера из LMU и профессора Кристофа Бехера из Саарского университета соединила две атомные квантовые памяти по оптоволоконному соединению длиной 33 километра. На данный момент это самое большое расстояние, на котором кому-либо когда-либо удавалось справляться с запутыванием через телекоммуникационное волокно.

Влияние температуры на полупроводниковые оптические усилители

Влияние температуры на характеристики полупроводниковых оптических усилителей (ПОУ) является важным предметом исследования. Амер Котб и его коллеги из Чанчуньского института оптики, точной механики и физики Китайской академии наук впервые исследовали влияние высоких температур на характеристики различных ПОУ, в том числе обычных ПОУ, несущего резервуара (КР)- SOA, отражающие SOA (RSOA) и фотонные кристаллы (PC)-SOA на разных скоростях. Соответствующие результаты были опубликованы в Journal of Modern Optics.