Прорыв в сверхбыстром управлении лучом

Совершив крупный прорыв в области нанофотоники и сверхбыстрой оптики, исследовательская группа Sandia National Laboratories продемонстрировала способность динамически управлять световыми импульсами от обычных, так называемых некогерентных источников света. Эта способность управлять светом с помощью полупроводникового устройства может позволить маломощным, относительно недорогим источникам, таким как светодиоды или лампы для фонарей, заменить более мощные лазерные лучи в новых технологиях, таких как голограммы, дистанционное зондирование, беспилотные автомобили и высокоскоростная связь.

Изменение когерентности вертикально-излучающих лазеров с поверхностным излучением с использованием хаотических резонаторов

Ученые KAUST продемонстрировали простой способ изменения компактных полупроводниковых лазеров, чтобы сделать их более практичными для освещения и голографии. Исследование опубликовано в журнале Optica. Оказалось, что спеклы в лазерном свете от VCSEL (поверхностно-излучающий лазер с вертикальным резонатором) можно уменьшить, просто изменив форму устройства, чтобы нарушить симметрию резонатора. Это вносит хаотическое поведение в генерируемый свет и позволяет излучать больше мод.

Новая модель управления тепловой энергией позволяет управлять тепловым потоком подобно электричеству

В исследовании, опубликованном в журнале Physical Review B, была разработана новая теоретическая модель управления тепловой энергией с использованием многотранзисторной структуры, которая позволяет управлять тепловым потоком подобно электричеству. В отличие от предыдущих исследований, в которых использовались одиночные структуры, было решено использовать кольца двухуровневых систем, соединенных с различными ваннами, что расширило способность усиливать тепловые потоки.

Роль длинноволновых неоднородностей в непрерывном переходе Мотта в муаровых полупроводниках

Даже незначительное количество несовершенств, присущих любому реальному материалу, играет ключевую роль в раскрытии универсальной физики, связанной с экспериментальным переходом металл- изолятор. Понимание физики этого загадочного фазового перехода может привести к созданию новых сложных микроскопических схем, сверхпроводников и экзотических изоляторов, которые могут найти применение в квантовых вычислениях.

Псевдоспин-селективная разработка полос Флоке в черном фосфоре

Исследователи из Университета Цинхуа, Бейханского университета и Китайской академии наук в Китае недавно продемонстрировали экспериментальную реализацию инженерии зон Флоке в модельном полупроводнике, а именно в черном фосфоре. Их статья, опубликованная в журнале Nature, может послужить основой для будущих исследований, изучающих инженерию Флоке полупроводниковых материалов и пытающихся реализовать возникающие явления, индуцированные светом, такие как индуцированные светом топологические фазовые переходы.

Простая нанотехнология открывает долгожданный класс полупроводников

Уменьшение толщины металлических листов до порядка нанометров может обеспечить точный контроль над движением электронов металла. Таким образом можно придать свойства, которых нет у массивных металлов, например, сверхбыструю проводимость электричества. Теперь исследователи из Университета Осаки и их партнеры синтезировали новый класс наноструктурированных сверхрешеток. Это исследование обеспечивает необычайно высокую степень контроля над движением электронов в металлических полупроводниках, что обещает повысить функциональность повседневных технологий.

Выяснена структура самого маленького полупроводника

Полупроводник — это материал, проводимость которого находится где-то между проводником и изолятором. Это свойство позволяет полупроводникам служить базовым материалом для современной электроники и транзисторов. Нельзя преуменьшать тот факт, что технический прогресс во второй половине 20-го века был в значительной степени связан с полупроводниковой промышленностью.